Taldea zenbakia :
IPB600N25N3GATMA1
fabrikatzailea :
Infineon Technologies
deskribapena :
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
250V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 90µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
2350pF @ 100V
Potentzia xahutzea (Max) :
136W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
D²PAK (TO-263AB)
Paketea / Kaxa :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB