Taldea zenbakia :
SI4860DY-T1-E3
fabrikatzailea :
Vishay Siliconix
deskribapena :
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Taldearen egoera :
Obsolete
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
30V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potentzia xahutzea (Max) :
1.6W (Ta)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
8-SO
Paketea / Kaxa :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)