Zure kokapena zerrendatuta ez badago, hautatu hauetako bat:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Zure kokapena zerrendatuta ez badago, hautatu hauetako bat:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hasiera
  2. Produktuak
  3. Produktu erdieroale diskretuak
  4. Diodoak - Errektifikatzaileak - Bakarrak
  5. JAN1N5417US

Microsemi Corporation - JAN1N5417US

KEY Part #: K6427644

JAN1N5417US Prezioak (USD) [7063piezak Stock]

  • 1 pcs$5.86387
  • 100 pcs$5.83469
Taldea zenbakia:
JAN1N5417US
fabrikatzailea:
Microsemi Corporation
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Diodoak - RF, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak, Diodoak - Errektifikatzaileak - Arrays, Transistoreak - IGBTak - Bakarka, Potentzia kontrolatzeko moduluak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, alde, Transistoreak - Elkartze programagarria and Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Bakarka ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5417US electronic components. JAN1N5417US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5417US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5417US Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : JAN1N5417US
fabrikatzailea : Microsemi Corporation
deskribapena : DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Series : Military, MIL-PRF-19500/411
Taldearen egoera : Active
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 200V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 3A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Abiadura : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 150ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 1µA @ 200V
Edukiera @ Vr, F : -
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : SQ-MELF, B
Hornitzaileentzako gailu paketea : B, SQ-MELF
Eragiketa tenperatura - Junction : -65°C ~ 175°C

Azken berriak

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Era berean, interesatuko zaizu
  • GP2D008A120C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L.

  • V35PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 120V TMBS eSMP Trench MOS

  • V35PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

  • V20PWM60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW60-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 35A If(AV)

Pieza beroak