Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP10JE-E3/54

KEY Part #: K6458252

RGP10JE-E3/54 Prezioak (USD) [1010386piezak Stock]

  • 1 pcs$0.03661
  • 11,000 pcs$0.03347

Taldea zenbakia:
RGP10JE-E3/54
fabrikatzailea:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0A 600 Volt 250ns
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Diodoak - Zubi zatitzaileak, Potentzia kontrolatzeko moduluak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Bakarka, aldez , Diodoak - Errektifikatzaileak - Arrays, Transistoreak - Elkartze programagarria, Tiristorrak - EKTak and Diodoak - Zener - Bakarka ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10JE-E3/54 electronic components. RGP10JE-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP10JE-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP10JE-E3/54 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : RGP10JE-E3/54
fabrikatzailea : Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena : DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Series : SUPERECTIFIER®
Taldearen egoera : Active
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 600V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Abiadura : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 250ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 5µA @ 600V
Edukiera @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota : Through Hole
Paketea / Kaxa : DO-204AL, DO-41, Axial
Hornitzaileentzako gailu paketea : DO-204AL (DO-41)
Eragiketa tenperatura - Junction : -65°C ~ 175°C

Era berean, interesatuko zaizu
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • U1C-E3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM