Taldea zenbakia :
1N4153UR-1
fabrikatzailea :
Microsemi Corporation
deskribapena :
DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
50V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
150mA
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
-
Abiadura :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
-
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
50nA @ 50V
Edukiera @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
DO-213AA
Hornitzaileentzako gailu paketea :
DO-213AA
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 175°C