Taiwan Semiconductor Corporation - S3M M6G

KEY Part #: K6458191

S3M M6G Prezioak (USD) [948493piezak Stock]

  • 1 pcs$0.03900

Taldea zenbakia:
S3M M6G
fabrikatzailea:
Taiwan Semiconductor Corporation
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 3A DO214AB.
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Diodoak - Errektifikatzaileak - Bakarrak, Transistoreak - JFETak, Tiristoreak - DIACak, SIDACak, Diodoak - Zubi zatitzaileak, Diodoak - Zener - Bakarka, Diodoak - Errektifikatzaileak - Arrays, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - RF and Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Bakarka, aldez ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S3M M6G electronic components. S3M M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3M M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S3M M6G Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : S3M M6G
fabrikatzailea : Taiwan Semiconductor Corporation
deskribapena : DIODE GEN PURP 3A DO214AB
Series : -
Taldearen egoera : Not For New Designs
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : -
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 3A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 3A
Abiadura : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 1.5µs
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 5µA @ 1000V
Edukiera @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : DO-214AB, SMC
Hornitzaileentzako gailu paketea : DO-214AB (SMC)
Eragiketa tenperatura - Junction : -55°C ~ 150°C

Era berean, interesatuko zaizu
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in