Samsung Semiconductor - K4A8G165WB-BCTD

KEY Part #: K7359608

[25398piezak Stock]


    Taldea zenbakia:
    K4A8G165WB-BCTD
    fabrikatzailea:
    Samsung Semiconductor
    Deskribapen zehatza:
    8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Fabrikatzailearen denbora beruna:
    Badago
    Bizimodua:
    Urte bat
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Ordaintzeko modua:
    Bidalketa modua:
    Familia Kategoriak:
    KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: GDDR5, HBM Flarebolt, DDR3, LPDDR5, MODULE, GDDR6, LPDDR4 and LPDDR3 ...
    Abantaila lehiakorra:
    Espezializatuta gaude Samsung Semiconductor K4A8G165WB-BCTD osagai elektronikoetan. K4A8G165WB-BCTD eskaera egin eta 24 ordu lehenago bidal daiteke. K4A8G165WB-BCTD eskaerarik baduzu, bidali Bidali Eskaera hemen edo bidali e-maila: info@key-components.com

    K4A8G165WB-BCTD Produktuen atributuak

    Taldea zenbakia : K4A8G165WB-BCTD
    fabrikatzailea : Samsung Semiconductor
    deskribapena : 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Series : DDR4
    dentsitatea : 8 Gb
    Org. : 512M x 16
    Abiadura : 2666 Mbps
    Tentsioa : 1.2 V
    Aldi baterako. : 0 ~ 85 °C
    Package : 96FBGA
    Produktuen Status : Mass Production

    Era berean, interesatuko zaizu
    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.