Vishay Semiconductor Diodes Division - ES1D-E3/5AT

KEY Part #: K6455080

ES1D-E3/5AT Prezioak (USD) [1099474piezak Stock]

  • 1 pcs$0.03364
  • 7,500 pcs$0.02848
  • 15,000 pcs$0.02532
  • 37,500 pcs$0.02373
  • 52,500 pcs$0.02110

Taldea zenbakia:
ES1D-E3/5AT
fabrikatzailea:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - FETak, MOSFETak - Arrays, Diodoak - Zubi zatitzaileak, Transistoreak - Xede Berezia, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - RF, Diodoak - Zener - Arrays, Diodoak - Errektifikatzaileak - Arrays, Diodoak - Zener - Bakarka and Transistoreak - IGBTak - Arrays ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES1D-E3/5AT electronic components. ES1D-E3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1D-E3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1D-E3/5AT Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : ES1D-E3/5AT
fabrikatzailea : Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Series : -
Taldearen egoera : Active
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 200V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 1A
Abiadura : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 25ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 5µA @ 200V
Edukiera @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : DO-214AC, SMA
Hornitzaileentzako gailu paketea : DO-214AC (SMA)
Eragiketa tenperatura - Junction : -55°C ~ 150°C

Era berean, interesatuko zaizu
  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MBRB40250TG

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY

  • VS-50WQ04FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • SD103AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM

  • SD103BW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM