[25904piezak Stock]
- Taldea zenbakia:
- K4A4G165WE-BITD
- fabrikatzailea:
- Samsung Semiconductor
- Deskribapen zehatza:
- 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
- Fabrikatzailearen denbora beruna:
- Badago
- Bizimodua:
- Urte bat
- Chip From:
- Hong Kong
- RoHS:
- Ordaintzeko modua:
-
- Bidalketa modua:
- Familia Kategoriak:
- KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: GDDR6, LPDDR3, HBM Aquabolt, LPDDR4, SLC Nand, LPDDR4X, GDDR5 and HBM Flarebolt ...
- Abantaila lehiakorra:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BITD electronic components. K4A4G165WE-BITD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G165WE-BITD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4A4G165WE-BITD Produktuen atributuak
Taldea zenbakia :
K4A4G165WE-BITD
fabrikatzailea :
Samsung Semiconductor
deskribapena :
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Series :
DDR4
dentsitatea :
4 Gb
Org. :
256M x 16
Abiadura :
2666 Mbps
Tentsioa :
1.2 V
Aldi baterako. :
-40 ~ 95 °C
Package :
96FBGA
Produktuen Status :
Mass Production
Azken berriak
Era berean, interesatuko zaizu
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.