Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6479-E3/96

KEY Part #: K6458203

1N6479-E3/96 Prezioak (USD) [959192piezak Stock]

  • 1 pcs$0.04069
  • 6,000 pcs$0.04049

Taldea zenbakia:
1N6479-E3/96
fabrikatzailea:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Diodoak - Errektifikatzaileak - Arrays, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, Diodoak - Zener - Bakarka, Diodoak - Edukiera aldakorra (Varicaps, Varactors), Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, alde, Diodoak - RF, Transistoreak - IGBTak - Bakarka and Diodoak - Errektifikatzaileak - Bakarrak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6479-E3/96 electronic components. 1N6479-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6479-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6479-E3/96 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : 1N6479-E3/96
fabrikatzailea : Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Series : SUPERECTIFIER®
Taldearen egoera : Active
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 100V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Abiadura : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : -
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 10µA @ 100V
Edukiera @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : DO-213AB, MELF (Glass)
Hornitzaileentzako gailu paketea : DO-213AB
Eragiketa tenperatura - Junction : -65°C ~ 175°C

Era berean, interesatuko zaizu
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFBHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in