Microsemi Corporation - APTGT50H60RT3G

KEY Part #: K6533048

APTGT50H60RT3G Prezioak (USD) [2178piezak Stock]

  • 1 pcs$20.47418
  • 100 pcs$20.37232

Taldea zenbakia:
APTGT50H60RT3G
fabrikatzailea:
Microsemi Corporation
Deskribapen zehatza:
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, alde, Transistoreak - Xede Berezia, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Bakarka, aldez , Transistoreak - JFETak, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak, Diodoak - Zener - Arrays, Diodoak - Errektifikatzaileak - Bakarrak and Transistoreak - FETak, MOSFETak - Arrays ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H60RT3G electronic components. APTGT50H60RT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H60RT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50H60RT3G Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : APTGT50H60RT3G
fabrikatzailea : Microsemi Corporation
deskribapena : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Series : -
Taldearen egoera : Active
IGBT mota : Trench Field Stop
konfigurazioa : Full Bridge Inverter
Tentsioa - Kolektorearen emisorearen matxura (Max) : 600V
Unean - Bildumagilea (Ik) (Max) : 80A
Potentzia - Max : 176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Unean - Bildumaren ebakia (Max) : 250µA
Sarrerako ahalmena (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
Sarrerako : Single Phase Bridge Rectifier
NTC Termistorea : Yes
Eragiketa tenperatura : -
Muntatzeko mota : Chassis Mount
Paketea / Kaxa : SP3
Hornitzaileentzako gailu paketea : SP3