Taldea zenbakia :
APTGT75H60T2G
fabrikatzailea :
Microsemi Corporation
deskribapena :
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2
Taldearen egoera :
Active
IGBT mota :
Trench Field Stop
konfigurazioa :
Full Bridge Inverter
Tentsioa - Kolektorearen emisorearen matxura (Max) :
600V
Unean - Bildumagilea (Ik) (Max) :
100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 75A
Unean - Bildumaren ebakia (Max) :
250µA
Sarrerako ahalmena (Cies) @ Vce :
4.62nF @ 25V
Eragiketa tenperatura :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Chassis Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
SP2