1N6479HE3/97 Prezioak (USD) [704650piezak Stock]
- 1 pcs$0.05249
- 10,000 pcs$0.04757
- Taldea zenbakia:
- 1N6479HE3/97
- fabrikatzailea:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Deskribapen zehatza:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
- Fabrikatzailearen denbora beruna:
- Badago
- Bizimodua:
- Urte bat
- Chip From:
- Hong Kong
- RoHS:
- Ordaintzeko modua:
-
- Bidalketa modua:
- Familia Kategoriak:
- KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Diodoak - Zubi zatitzaileak, Diodoak - Errektifikatzaileak - Arrays, Transistoreak - FETak, MOSFETak - RF, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Arrays, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, Diodoak - Zener - Bakarka, Transistoreak - IGBTak - Moduluak and Transistoreak - IGBTak - Arrays ...
- Abantaila lehiakorra:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6479HE3/97 electronic components. 1N6479HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6479HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N6479HE3/97 Produktuen atributuak
Taldea zenbakia :
1N6479HE3/97
fabrikatzailea :
Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Series :
SUPERECTIFIER®
Taldearen egoera :
Active
Diodo mota :
Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
100V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Abiadura :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
-
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
10µA @ 100V
Edukiera @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
DO-213AB, MELF (Glass)
Hornitzaileentzako gailu paketea :
DO-213AB
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 175°C
Azken berriak
Era berean, interesatuko zaizu
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
-
EGL34F-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns
Pieza beroak
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54