Taiwan Semiconductor Corporation - MUR305S M6G

KEY Part #: K6457851

MUR305S M6G Prezioak (USD) [718289piezak Stock]

  • 1 pcs$0.05149

Taldea zenbakia:
MUR305S M6G
fabrikatzailea:
Taiwan Semiconductor Corporation
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB.
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - Elkartze programagarria, Tiristoreak - DIACak, SIDACak, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, Transistoreak - IGBTak - Bakarka, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - RF, Transistoreak - JFETak and Diodoak - Errektifikatzaileak - Arrays ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation MUR305S M6G electronic components. MUR305S M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUR305S M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUR305S M6G Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : MUR305S M6G
fabrikatzailea : Taiwan Semiconductor Corporation
deskribapena : DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Series : -
Taldearen egoera : Not For New Designs
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 50V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 3A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 3A
Abiadura : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 25ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 5µA @ 50V
Edukiera @ Vr, F : -
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : DO-214AB, SMC
Hornitzaileentzako gailu paketea : DO-214AB (SMC)
Eragiketa tenperatura - Junction : -55°C ~ 175°C

Era berean, interesatuko zaizu
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns