Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4007GPE-E3/73

KEY Part #: K6457836

1N4007GPE-E3/73 Prezioak (USD) [706621piezak Stock]

  • 1 pcs$0.05234
  • 9,000 pcs$0.04532

Taldea zenbakia:
1N4007GPE-E3/73
fabrikatzailea:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt Glass Passivated
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak, Transistoreak - Xede Berezia, Transistoreak - IGBTak - Moduluak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, alde, Diodoak - Errektifikatzaileak - Arrays, Potentzia kontrolatzeko moduluak, Transistoreak - FETak, MOSFETak - RF and Transistoreak - IGBTak - Arrays ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4007GPE-E3/73 electronic components. 1N4007GPE-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4007GPE-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4007GPE-E3/73 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : 1N4007GPE-E3/73
fabrikatzailea : Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Series : SUPERECTIFIER®
Taldearen egoera : Active
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 1000V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Abiadura : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 2µs
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 5µA @ 1000V
Edukiera @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota : Through Hole
Paketea / Kaxa : DO-204AL, DO-41, Axial
Hornitzaileentzako gailu paketea : DO-204AL (DO-41)
Eragiketa tenperatura - Junction : -65°C ~ 175°C

Era berean, interesatuko zaizu
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns