Taldea zenbakia :
CLH02(TE16R,Q)
fabrikatzailea :
Toshiba Semiconductor and Storage
deskribapena :
DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT
Taldearen egoera :
Obsolete
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
300V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
3A (DC)
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 3A
Abiadura :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
35ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
10µA @ 300V
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
L-FLAT™ (4x5.5)
Eragiketa tenperatura - Junction :
-40°C ~ 150°C