Taldea zenbakia :
IPA65R650CEXKSA1
fabrikatzailea :
Infineon Technologies
deskribapena :
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
650V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 210µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
Potentzia xahutzea (Max) :
28W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
TO-220 Full Pack
Paketea / Kaxa :
TO-220-3 Full Pack