Taldea zenbakia :
DGD2190MS8-13
fabrikatzailea :
Diodes Incorporated
deskribapena :
IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K
Taldearen egoera :
Active
Gidatutako Konfigurazioa :
Half-Bridge
Ate mota :
IGBT, N-Channel MOSFET
Tentsioa - Hornidura :
10V ~ 20V
Logikako tentsioa - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
Uneko irteera maximoa (iturria, konketa) :
4.5A, 4.5A
Sarrera mota :
Non-Inverting
Alboko tentsio altua - Max (Bootstrap) :
600V
Igoera / Eroriko Denbora (Normala) :
25ns, 20ns
Eragiketa tenperatura :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hornitzaileentzako gailu paketea :
8-SO