GeneSiC Semiconductor - MURTA20020

KEY Part #: K6468487

Deskribapen zehatza:: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER. Rectifiers 200V 200A Si Super Fast Recovery

Familia Kategoriak:: KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - FETak, MOSFETak - Arrays, Diodoak - RF, Diodoak - Zubi zatitzaileak, Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak, Diodoak - Zener - Arrays, Transistoreak - IGBTak - Bakarka, Potentzia kontrolatzeko moduluak and Tiristoreak - TRIACak ...

Abantaila lehiakorra:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA20020 electronic components. MURTA20020 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA20020, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Taldea zenbakia : MURTA20020

fabrikatzailea : GeneSiC Semiconductor

deskribapena : DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Series : -

Taldearen egoera : Active

Diodoaren konfigurazioa : 1 Pair Common Cathode

Diodo mota : Standard

Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 200V

Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) (diodo bakoitzeko) : 100A

Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 100A

Abiadura : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : -

Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 25µA @ 200V

Eragiketa tenperatura - Junction : -55°C ~ 150°C

Muntatzeko mota : Chassis Mount

Paketea / Kaxa : Three Tower

Hornitzaileentzako gailu paketea : Three Tower

Era berean, interesatuko zaizu

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Pieza beroak