fabrikatzailea :
Microsemi Corporation
deskribapena :
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
800V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 3A
Abiadura :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
2µs
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
500nA @ 800V
Muntatzeko mota :
Through Hole
Paketea / Kaxa :
A, Axial
Hornitzaileentzako gailu paketea :
-
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 200°C