Taldea zenbakia :
FJV3112RMTF
fabrikatzailea :
ON Semiconductor
deskribapena :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Taldearen egoera :
Obsolete
Transistore mota :
NPN - Pre-Biased
Unean - Bildumagilea (Ik) (Max) :
100mA
Tentsioa - Kolektorearen emisorearen matxura (Max) :
40V
Erresistorea - Oinarria (R1) :
47 kOhms
Erresistorea - Emisidearen oinarria (R2) :
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
100 @ 1mA, 5V
Vce saturazioa (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 10mA
Unean - Bildumaren ebakia (Max) :
100nA (ICBO)
Maiztasuna - Trantsizioa :
250MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hornitzaileentzako gailu paketea :
SOT-23-3 (TO-236)