TPAU3D S1G Prezioak (USD) [386323piezak Stock]
- 1 pcs$0.09574
- Taldea zenbakia:
- TPAU3D S1G
- fabrikatzailea:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Deskribapen zehatza:
- DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A. Rectifiers 3A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
- Fabrikatzailearen denbora beruna:
- Badago
- Bizimodua:
- Urte bat
- Chip From:
- Hong Kong
- RoHS:
- Ordaintzeko modua:
-
- Bidalketa modua:
- Familia Kategoriak:
- KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Tiristorrak - EKTak, Diodoak - Zener - Bakarka, Transistoreak - IGBTak - Bakarka, Diodoak - Zubi zatitzaileak, Tiristorrak - SCRak - Moduluak, Tiristoreak - TRIACak, Tiristoreak - DIACak, SIDACak and Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak ...
- Abantaila lehiakorra:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TPAU3D S1G electronic components. TPAU3D S1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPAU3D S1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPAU3D S1G Produktuen atributuak
Taldea zenbakia :
TPAU3D S1G
fabrikatzailea :
Taiwan Semiconductor Corporation
deskribapena :
DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
Series :
-
Taldearen egoera :
Active
Diodo mota :
Avalanche
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
200V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
3A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1.88V @ 3A
Abiadura :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
75ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
10µA @ 200V
Edukiera @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
TO-277, 3-PowerDFN
Hornitzaileentzako gailu paketea :
TO-277A (SMPC)
Eragiketa tenperatura - Junction :
-55°C ~ 175°C
Azken berriak
Era berean, interesatuko zaizu
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
Pieza beroak
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08