Taldea zenbakia :
FQI4N20LTU
fabrikatzailea :
ON Semiconductor
deskribapena :
MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
Taldearen egoera :
Obsolete
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
200V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
3.8A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
310pF @ 25V
Potentzia xahutzea (Max) :
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
I2PAK (TO-262)
Paketea / Kaxa :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA