fabrikatzailea :
Microsemi Corporation
deskribapena :
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
600V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 1A
Abiadura :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
250ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
1µA @ 600V
Edukiera @ Vr, F :
25pF @ 12V, 1MHz
Muntatzeko mota :
Through Hole
Paketea / Kaxa :
A, Axial
Hornitzaileentzako gailu paketea :
Axial
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 175°C