Taldea zenbakia :
RN1425TE85LF
fabrikatzailea :
Toshiba Semiconductor and Storage
deskribapena :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
Taldearen egoera :
Active
Transistore mota :
NPN - Pre-Biased
Unean - Bildumagilea (Ik) (Max) :
800mA
Tentsioa - Kolektorearen emisorearen matxura (Max) :
50V
Erresistorea - Oinarria (R1) :
470 Ohms
Erresistorea - Emisidearen oinarria (R2) :
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
90 @ 100mA, 1V
Vce saturazioa (Max) @ Ib, Ic :
250mV @ 1mA, 50mA
Unean - Bildumaren ebakia (Max) :
500nA
Maiztasuna - Trantsizioa :
300MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hornitzaileentzako gailu paketea :
S-Mini