Taldea zenbakia :
EPC2038
deskribapena :
GAN TRANS 100V 2.8OHM BUMPED DIE
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
100V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
500mA (Ta)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 20µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
0.044nC @ 5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
8.4pF @ 50V
Potentzia xahutzea (Max) :
-
Eragiketa tenperatura :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
Die