Murata Electronics North America - NFM21PC104R1E3D

KEY Part #: K7359525

NFM21PC104R1E3D Prezioak (USD) [1022539piezak Stock]

  • 1 pcs$0.03635
  • 4,000 pcs$0.03617
  • 8,000 pcs$0.03404
  • 12,000 pcs$0.03192
  • 28,000 pcs$0.02979

Taldea zenbakia:
NFM21PC104R1E3D
fabrikatzailea:
Murata Electronics North America
Deskribapen zehatza:
CAP FEEDTHRU 0.1UF 20 25V 0805. Feed Through Capacitors 100KPF 25V 2.0A EMI
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Zeramikazko iragazkiak, Ferrite diskoak eta plakak, RF iragazkiak, Ferrite Cores - Kableak eta Kableatuak, EMI / RFI iragazkiak (LC, RC Sareak), ZIR Iragazkiak, Ferrite aleak eta txipak and Osagarriak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Murata Electronics North America NFM21PC104R1E3D electronic components. NFM21PC104R1E3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NFM21PC104R1E3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NFM21PC104R1E3D Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : NFM21PC104R1E3D
fabrikatzailea : Murata Electronics North America
deskribapena : CAP FEEDTHRU 0.1UF 20 25V 0805
Series : EMIFIL®, NFM21
Taldearen egoera : Active
kapazitantzia : 0.1µF
tolerantzia : ±20%
Tentsioa - Balorazioa : 25V
Oraingo : 2A
DC erresistentzia (DCR) (Max) : 30 mOhm
Eragiketa tenperatura : -55°C ~ 125°C
Txertatze galera : -
Tenperatura Koefizientea : -
balorazio : -
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : 0805 (2012 Metric), 3 PC Pad
Tamaina / dimentsioa : 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Altuera (Max) : 0.037" (0.95mm)
Hariaren tamaina : -

Era berean, interesatuko zaizu
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.