Taldea zenbakia :
1N5809US
fabrikatzailea :
Microsemi Corporation
deskribapena :
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
100V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
3A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Abiadura :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
30ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
5µA @ 100V
Edukiera @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
SQ-MELF, B
Hornitzaileentzako gailu paketea :
B, SQ-MELF
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 175°C