Zure kokapena zerrendatuta ez badago, hautatu hauetako bat:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Zure kokapena zerrendatuta ez badago, hautatu hauetako bat:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hasiera
  2. Produktuak
  3. Zirkuitu Integratuak (IK)
  4. Memoria
  5. TC58BYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG1S3HBAI4

KEY Part #: K938204

TC58BYG1S3HBAI4 Prezioak (USD) [19544piezak Stock]

  • 1 pcs$2.34452
Taldea zenbakia:
TC58BYG1S3HBAI4
fabrikatzailea:
Toshiba Memory America, Inc.
Deskribapen zehatza:
2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Logika - FIFOs Memory, Logika - Kontagailuak, zatitzaileak, Audio Xede Berezia, PMIC - V / F eta F / V bihurgailuak, PMIC - Laser kontrolatzaileak, Logika - Bufferrak, Drivers, Hartzaileak, Transcei, PMIC - Zubi erdiko gidariak and PMIC - OR Kontroladoreak, Diodo Idealak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG1S3HBAI4 electronic components. TC58BYG1S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG1S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG1S3HBAI4 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : TC58BYG1S3HBAI4
fabrikatzailea : Toshiba Memory America, Inc.
deskribapena : 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Series : Benand™
Taldearen egoera : Active
Memoria Mota : Non-Volatile
Memoria formatua : FLASH
Teknologia : FLASH - NAND (SLC)
Memoria neurria : 2Gb (256M x 8)
Erlojuaren maiztasuna : -
Idatzi zikloaren denbora - Word, Orrialdea : 25ns
Sarbide ordua : -
Memoria interfazea : -
Tentsioa - Hornidura : 1.7V ~ 1.95V
Eragiketa tenperatura : -40°C ~ 85°C (TA)
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : 63-VFBGA
Hornitzaileentzako gailu paketea : 63-TFBGA (9x11)

Azken berriak

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Era berean, interesatuko zaizu
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W979H6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C

Pieza beroak