Vishay Semiconductor Diodes Division - UG8FTHE3/45

KEY Part #: K6445597

UG8FTHE3/45 Prezioak (USD) [2053piezak Stock]

  • 1,000 pcs$0.24916

Taldea zenbakia:
UG8FTHE3/45
fabrikatzailea:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC.
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - IGBTak - Moduluak, Transistoreak - Xede Berezia, Diodoak - RF, Diodoak - Zubi zatitzaileak, Transistoreak - JFETak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Bakarka, aldez , Transistoreak - FETak, MOSFETak - Arrays and Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, alde ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UG8FTHE3/45 electronic components. UG8FTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UG8FTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UG8FTHE3/45 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : UG8FTHE3/45
fabrikatzailea : Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena : DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC
Series : -
Taldearen egoera : Obsolete
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 300V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 8A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 8A
Abiadura : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 50ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 10µA @ 300V
Edukiera @ Vr, F : -
Muntatzeko mota : Through Hole
Paketea / Kaxa : TO-220-2
Hornitzaileentzako gailu paketea : TO-220AC
Eragiketa tenperatura - Junction : -40°C ~ 150°C

Era berean, interesatuko zaizu
  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

  • IDB09E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.