Taldea zenbakia :
EPC2103ENG
deskribapena :
GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
Taldearen egoera :
Active
FET Mota :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Ezaugarria :
GaNFET (Gallium Nitride)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
80V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 7mA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
760pF @ 40V
Eragiketa tenperatura :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
Die