Taldea zenbakia :
FDV303N
fabrikatzailea :
ON Semiconductor
deskribapena :
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
25V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
680mA (Ta)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
2.3nC @ 4.5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 10V
Potentzia xahutzea (Max) :
350mW (Ta)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
SOT-23
Paketea / Kaxa :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3