Taldea zenbakia :
EGL41B-E3/96
fabrikatzailea :
Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
100V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Abiadura :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
50ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
5µA @ 100V
Edukiera @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
DO-213AB, MELF (Glass)
Hornitzaileentzako gailu paketea :
DO-213AB
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 175°C