Taldea zenbakia :
MURTA400120R
fabrikatzailea :
GeneSiC Semiconductor
deskribapena :
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Taldearen egoera :
Active
Diodoaren konfigurazioa :
1 Pair Common Anode
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
1200V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) (diodo bakoitzeko) :
200A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
2.6V @ 200A
Abiadura :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
-
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
25µA @ 1200V
Eragiketa tenperatura - Junction :
-55°C ~ 150°C
Muntatzeko mota :
Chassis Mount
Paketea / Kaxa :
Three Tower
Hornitzaileentzako gailu paketea :
Three Tower