Taldea zenbakia :
SI2303CDS-T1-GE3
fabrikatzailea :
Vishay Siliconix
deskribapena :
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
30V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
155pF @ 15V
Potentzia xahutzea (Max) :
1W (Ta), 2.3W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
SOT-23-3 (TO-236)
Paketea / Kaxa :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3