Vishay Siliconix - SI2303CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6421493

SI2303CDS-T1-GE3 Prezioak (USD) [636719piezak Stock]

  • 1 pcs$0.05809
  • 3,000 pcs$0.04953

Taldea zenbakia:
SI2303CDS-T1-GE3
fabrikatzailea:
Vishay Siliconix
Deskribapen zehatza:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3.
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - IGBTak - Moduluak, Diodoak - Zener - Bakarka, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, Transistoreak - Elkartze programagarria, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - RF, Tiristorrak - EKTak, Tiristoreak - DIACak, SIDACak and Tiristoreak - TRIACak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Vishay Siliconix SI2303CDS-T1-GE3 electronic components. SI2303CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2303CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2303CDS-T1-GE3 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : SI2303CDS-T1-GE3
fabrikatzailea : Vishay Siliconix
deskribapena : MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Series : TrenchFET®
Taldearen egoera : Active
FET Mota : P-Channel
Teknologia : MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) : 30V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds : 155pF @ 15V
FET Ezaugarria : -
Potentzia xahutzea (Max) : 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Eragiketa tenperatura : -55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota : Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea : SOT-23-3 (TO-236)
Paketea / Kaxa : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3