Taldea zenbakia :
VS-GB150TH120N
fabrikatzailea :
Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena :
IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
Taldearen egoera :
Active
konfigurazioa :
Half Bridge
Tentsioa - Kolektorearen emisorearen matxura (Max) :
1200V
Unean - Bildumagilea (Ik) (Max) :
300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 150A
Unean - Bildumaren ebakia (Max) :
5mA
Sarrerako ahalmena (Cies) @ Vce :
11nF @ 25V
Eragiketa tenperatura :
150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Chassis Mount
Paketea / Kaxa :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Hornitzaileentzako gailu paketea :
Double INT-A-PAK