Taldea zenbakia :
SCT3022ALGC11
fabrikatzailea :
Rohm Semiconductor
deskribapena :
MOSFET NCH 650V 93A TO247N
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
650V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
93A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28.6 mOhm @ 36A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 18.2mA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
133nC @ 18V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
2208pF @ 500V
Potentzia xahutzea (Max) :
339W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
175°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Through Hole
Hornitzaileentzako gailu paketea :
TO-247N
Paketea / Kaxa :
TO-247-3