Taldea zenbakia :
HS3JB M4G
fabrikatzailea :
Taiwan Semiconductor Corporation
deskribapena :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
600V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
3A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 3A
Abiadura :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
75ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
10µA @ 600V
Edukiera @ Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
DO-214AA, SMB
Hornitzaileentzako gailu paketea :
DO-214AA (SMB)
Eragiketa tenperatura - Junction :
-55°C ~ 150°C