Taldea zenbakia :
TPN13008NH,L1Q
fabrikatzailea :
Toshiba Semiconductor and Storage
deskribapena :
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
80V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.3 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 40V
Potentzia xahutzea (Max) :
700mW (Ta), 42W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paketea / Kaxa :
8-PowerVDFN