Taldea zenbakia :
BSZ0904NSIATMA1
fabrikatzailea :
Infineon Technologies
deskribapena :
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
30V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta), 40A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
1463pF @ 15V
FET Ezaugarria :
Schottky Diode (Body)
Potentzia xahutzea (Max) :
2.1W (Ta), 37W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
PG-TSDSON-8-FL
Paketea / Kaxa :
8-PowerTDFN