Taldea zenbakia :
BAS19LT1G
fabrikatzailea :
ON Semiconductor
deskribapena :
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
120V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
200mA (DC)
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Abiadura :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
50ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
100nA @ 100V
Edukiera @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hornitzaileentzako gailu paketea :
SOT-23-3 (TO-236)
Eragiketa tenperatura - Junction :
-55°C ~ 150°C