Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6480HE3/97

KEY Part #: K6457834

1N6480HE3/97 Prezioak (USD) [704650piezak Stock]

  • 1 pcs$0.05249
  • 10,000 pcs$0.04757

Taldea zenbakia:
1N6480HE3/97
fabrikatzailea:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Transistoreak - Elkartze programagarria, Diodoak - RF, Diodoak - Zener - Bakarka, Diodoak - Edukiera aldakorra (Varicaps, Varactors), Tiristoreak - TRIACak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Matrizeak, Tiristorrak - SCRak - Moduluak and Transistoreak - FETak, MOSFETak - Bakarrak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6480HE3/97 electronic components. 1N6480HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6480HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6480HE3/97 Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : 1N6480HE3/97
fabrikatzailea : Vishay Semiconductor Diodes Division
deskribapena : DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Series : SUPERECTIFIER®
Taldearen egoera : Active
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 200V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Abiadura : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : -
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 10µA @ 200V
Edukiera @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : DO-213AB, MELF (Glass)
Hornitzaileentzako gailu paketea : DO-213AB
Eragiketa tenperatura - Junction : -65°C ~ 175°C

Era berean, interesatuko zaizu
  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns

  • EGL34A-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 0.5 Amp 50 Volt 50ns