ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160F-5BLA1-TR

KEY Part #: K938170

IS46R16160F-5BLA1-TR Prezioak (USD) [19375piezak Stock]

  • 1 pcs$2.63707
  • 2,500 pcs$2.62395

Taldea zenbakia:
IS46R16160F-5BLA1-TR
fabrikatzailea:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deskribapen zehatza:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: PMIC - V / F eta F / V bihurgailuak, Erlojua / Denboralizazioa - IC Bateriak, Logika - Logiken espezialitatea, PMIC - Bateriaren kudeaketa, Logika - Txankletak, Memoria - FPGAentzako konfigurazio promak, Lineala - Biderkatzaile analogikoak, zatitzaileak and PMIC - Egungo Araudia / Kudeaketa ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5BLA1-TR electronic components. IS46R16160F-5BLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160F-5BLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160F-5BLA1-TR Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : IS46R16160F-5BLA1-TR
fabrikatzailea : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
deskribapena : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Series : -
Taldearen egoera : Active
Memoria Mota : Volatile
Memoria formatua : DRAM
Teknologia : SDRAM - DDR
Memoria neurria : 256Mb (16M x 16)
Erlojuaren maiztasuna : 200MHz
Idatzi zikloaren denbora - Word, Orrialdea : 15ns
Sarbide ordua : 700ps
Memoria interfazea : Parallel
Tentsioa - Hornidura : 2.3V ~ 2.7V
Eragiketa tenperatura : -40°C ~ 85°C (TA)
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : 60-TFBGA
Hornitzaileentzako gailu paketea : 60-TFBGA (13x8)

Era berean, interesatuko zaizu
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)