Taldea zenbakia :
DMN10H099SK3-13
fabrikatzailea :
Diodes Incorporated
deskribapena :
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
100V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
17A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
25.2nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
1172pF @ 50V
Potentzia xahutzea (Max) :
34W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
TO-252
Paketea / Kaxa :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63