Taldea zenbakia :
SI7601DN-T1-GE3
fabrikatzailea :
Vishay Siliconix
deskribapena :
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Taldearen egoera :
Obsolete
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
20V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
1870pF @ 10V
Potentzia xahutzea (Max) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
PowerPAK® 1212-8
Paketea / Kaxa :
PowerPAK® 1212-8