Taiwan Semiconductor Corporation - US1M R3G

KEY Part #: K6454918

US1M R3G Prezioak (USD) [1021533piezak Stock]

  • 1 pcs$0.03621

Taldea zenbakia:
US1M R3G
fabrikatzailea:
Taiwan Semiconductor Corporation
Deskribapen zehatza:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1A,1000V, ULTRAFAST SMD RECTIFIER
Fabrikatzailearen denbora beruna:
Badago
Bizimodua:
Urte bat
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Ordaintzeko modua:
Bidalketa modua:
Familia Kategoriak:
KEY Components Co., LTD. Osagaien banatzaile elektronikoa da. Produktuen kategoria eskaintzen du: Diodoak - Zener - Arrays, Transistoreak - FETak, MOSFETak - RF, Transistoreak - IGBTak - Arrays, Transistoreak - Elkartze programagarria, Transistoreak - IGBTak - Moduluak, Transistoreak - Bipolarrak (BJT) - Bakarka, aldez , Transistoreak - Xede Berezia and Tiristoreak - TRIACak ...
Abantaila lehiakorra:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation US1M R3G electronic components. US1M R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1M R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1M R3G Produktuen atributuak

Taldea zenbakia : US1M R3G
fabrikatzailea : Taiwan Semiconductor Corporation
deskribapena : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Series : -
Taldearen egoera : Active
Diodo mota : Standard
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) : 1000V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) : 1A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Abiadura : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) : 75ns
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr : 5µA @ 1000V
Edukiera @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Muntatzeko mota : Surface Mount
Paketea / Kaxa : DO-214AC, SMA
Hornitzaileentzako gailu paketea : DO-214AC (SMA)
Eragiketa tenperatura - Junction : -55°C ~ 150°C

Era berean, interesatuko zaizu
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • BAS19-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • C3D10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A

  • VS-50WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3