Taldea zenbakia :
FQB10N60CTM
fabrikatzailea :
ON Semiconductor
deskribapena :
MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
Taldearen egoera :
Obsolete
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
600V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
9.5A (Tc)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
730 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
57nC @ 10V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
2040pF @ 25V
Potentzia xahutzea (Max) :
3.13W (Ta), 156W (Tc)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
D²PAK (TO-263AB)
Paketea / Kaxa :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB