Taldea zenbakia :
1N5551US
fabrikatzailea :
Microsemi Corporation
deskribapena :
DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
Taldearen egoera :
Active
Tentsioa - DC alderantzikatua (Vr) (Max) :
400V
Oraingoa - Batez besteko laukizatua (Io) :
3A
Tentsioa - Aurrera (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 9A
Abiadura :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Alderantzizko berreskurapen denbora (trr) :
2µs
Oraingoa - alderantzizko ihesa @ Vr :
1µA @ 400V
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Paketea / Kaxa :
SQ-MELF, B
Hornitzaileentzako gailu paketea :
D-5B
Eragiketa tenperatura - Junction :
-65°C ~ 175°C