Taldea zenbakia :
GSID200A120S3B1
fabrikatzailea :
Global Power Technologies Group
deskribapena :
SILICON IGBT MODULES
Taldearen egoera :
Active
konfigurazioa :
2 Independent
Tentsioa - Kolektorearen emisorearen matxura (Max) :
1200V
Unean - Bildumagilea (Ik) (Max) :
400A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 200A
Unean - Bildumaren ebakia (Max) :
1mA
Sarrerako ahalmena (Cies) @ Vce :
20nF @ 25V
Eragiketa tenperatura :
-40°C ~ 150°C
Muntatzeko mota :
Chassis Mount
Paketea / Kaxa :
D-3 Module
Hornitzaileentzako gailu paketea :
D3