Taldea zenbakia :
ZXMN2A02N8TA
fabrikatzailea :
Diodes Incorporated
deskribapena :
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
Taldearen egoera :
Active
Teknologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Xukatu iturburuko tentsioa (Vdss) :
20V
Korrontea - Etengabeko hustubidea (Id) @ 25 ° C :
8.3A (Ta)
Unitatearen Tentsioa (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Ateko karga (Qg) (Max) @ Vgs :
18.9nC @ 4.5V
Sarrerako ahalmena (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 10V
Potentzia xahutzea (Max) :
1.56W (Ta)
Eragiketa tenperatura :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Muntatzeko mota :
Surface Mount
Hornitzaileentzako gailu paketea :
8-SO
Paketea / Kaxa :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)